SPB08P06P
PDF資料下載

SPB08P06P參數：MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品變化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008
標準包裝：1,000
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：8.8A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：300毫歐@6.2A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：420pF@25V
功率-最大值：42W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：P-TO263-3